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氮化铟镓
释义
氮化铟镓
材料科学卷
氮化铟镓
分子式In
x
Ga
1-x
N。利用氮化铟和氮化镓所形成的三元化合物半导体。为直接带隙半导体。能隙范围能够随合金中铟组分摩尔分数x的变化从氮化铟能隙的0.7电子伏到氮化镓能隙的3.4电子伏自由调节。可用于制备高效率太阳能电池和发光二极管。是现代蓝色光、绿色光和紫外线发光二极管有源层的必要物质。
出处:材料科学卷 • 信息功能材料 • 宽带隙半导体材料
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更新时间:2026/9/14 1:29:52