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氮化铟
释义
氮化铟
材料科学卷
氮化铟
分子式InN。相对分子质量128.83。六方晶系铅锌矿型结构,晶胞参数0.3533纳米。密度6.81克/厘米
3
。熔点1100℃。为直接带隙半导体,室温禁带宽度0.65电子伏。室温电子迁移率3200厘米
2
/(伏·秒)。溶于水。可用于制备高效率太阳能电池和发光二极管,是理想的高速、高频晶体管材料。
出处:材料科学卷 • 信息功能材料 • 宽带隙半导体材料
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更新时间:2026/9/14 0:20:03