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气相外延法
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气相外延法
材料科学卷
气相外延法
通过气相沉积到基片上并形成单晶的晶体生长方法。有开管和闭管两种方式,半导体材料制备中的硅外延和砷化镓外延,多半采用开管外延方式。主要用于制备单晶膜材料或层状材料。
出处:材料科学卷 • 无机非金属材料 • 晶体
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更新时间:2026/3/17 13:12:42